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DMG4413LSS-13  与  BSO080P03NS3 G  区别

型号 DMG4413LSS-13 BSO080P03NS3 G
唯样编号 A3-DMG4413LSS-13 A-BSO080P03NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.7W -
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@13A,10V 8mΩ
上升时间 - 47ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W
栅极电压Vgs ±20V 25V
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOP -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A 14.8A
系列 DMG OptiMOS3P3
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4965pF @ 15V -
长度 - 4.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 19ns
典型接通延迟时间 - 16ns
高度 - 1.75mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

暂无价格 0 当前型号
FDS6681Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 4.6mΩ@-20A,-10V P-Channel -20A -30V SOIC-8 -55°C~150°C

暂无价格 2 对比
FDS6681Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 4.6mΩ@-20A,-10V P-Channel -20A -30V SOIC-8 -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSO080P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO080P03NS3GXUMA1_30V 14.8A 8mΩ 25V 1.6W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSO301SP H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO301SPHXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 14.9A 8mΩ 20V 2.5W P-Channel

暂无价格 0 对比
BSO080P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO080P03NS3EGXUMA1_30V 14.8A 8mΩ 25V 2.5W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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